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功率半导体器件作为能源转换的重要组成部分快速地在工业生产、电机设备、轨道交通、国防军事、航空航天、新能源系统以及日常生活等各领域获得广泛的关注与应用。本成果中的专利是针对PIN结构和TMBS结构设计与制备技术中存在的不足，分别提供一种具有极化效应的PIN二极管器件结构和一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构，最终达到增加击穿电压，提高正向特性的目的。