型号: | R95 | 仪器分类: | 其他仪器 |
原值(单位:万元): | 97.85 | 产地国别: | 中国 |
年平均开机机时: | 1200 | 主要技术指标: | 1. 极限真空:8×10-6Pa(经过烘烤后);2. 工作真空:40分钟可达到6x10-4Pa(系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气);3. 系统保压:系统停泵关机12小时后,系统真空度≤3Pa;4. 基片尺寸:100x100mm;5. 样品架与靶表面距离:50~120mm(手动调控);6. 基片加热温度:室温~300℃。温度可以PID自动控制,可控可调。达到需要加热的温度后,温度控制精度优于+/-1度; |
主要功能: | 共溅射室由六个磁控靶构成,可实现单靶直溅,双靶共溅,多靶共溅。六个磁控靶当中有一个为强磁性靶,可溅射铁磁性材料(Fe,Co,Ni等)。 | 应用范围: | 该系统主要用于在材料表面制备各种金属薄膜、化合物薄膜、绝缘膜、介质膜、半导体膜等。 |
服务领域: | 材料、其他 |
共溅射室由六个磁控靶构成,可实现单靶直溅,双靶共溅,多靶共溅。六个磁控靶当中有一个为强磁性靶,可溅射铁磁性材料(Fe,Co,Ni等)。
刘建勇